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[반도체레이다]2026년 1c D램 월 14만장…HBM4 코어 다이 주도권 장악

파운드리 베이스 다이 생태계와 엮어 독보적인 턴키 시너지 폭발



[디지털데일리 배태용기자] 삼성전자가 차세대 메모리 시장 주도권을 되찾기 위해 전사적인 속도전에 돌입했다.평택 P4 공장 페이즈2(Ph2)와 페이즈4(Ph4) 라인의 전공정 장비 발주를 전격 완료한 가운데 페이즈2(Ph2) 장비 발주 시점을 기존 계획과 비교해 약 2개월이나 앞당기며 승부수를 띄웠다.인공지능(AI) 반도체의 핵심인 6세대 고대역폭메모리(HBM4) 패권을 쥐기 위한 삼성전자의 대대적인 반격이 본격적인 막을 올렸다는 평가가 나온다.

◆ HBM4 심장 1c D램에 올인…초대형 물량 공세 예고

이번에 장비가 들어가는 평택 P4 라인은 향후 HBM4에 탑재될 핵심 코어 다이인 1c D램(10㎚급 6세대 D램) 양산의 최전선 전진기지 역할을 맡게 된다.22일 반도체 업계에 따르면 삼성전자는 2026년 5~6월 페이즈4(Ph4) 라인을 시작으로 11월 페이즈2(Ph2) 라인까지 순차적으로 전공정 장비를 반입하고 설치할 예정이다.

이 대규모 투자가 계획대로 마무리되면 삼성전자의 2026년 1c D램 생산 능력은 월 13만~14만장이라는 압도적인 규모로 대폭 확대된다.단순한 라인 증설을 넘어 경쟁사와 비교해 한층 공격적인 물량 공세로 차세대 메모리 시장에서 압도적인 공급 기반을 선제적으로 마련하겠다는 경영진의 강력한 의지가 반영된 수치다.글로벌 빅테크 고객사들이 요구하는 막대한 인공지능 메모리 물량을 차질 없이 소화할 수 있는 체력을 먼저 갖추겠다는 전략이다.

특히 HBM4는 데이터 처리 속도와 용량이 기하급수적으로 늘어나는 만큼 코어 다이로 쓰이는 1c D램의 품질과 대량 생산 규모가 전체 경쟁력을 좌우하는 핵심 요소로 꼽힌다.삼성전자가 장비 발주 시점을 당초 계획과 비교해 2개월이나 앞당긴 배경 역시 여기에 있다.

◆ 2개월 앞당긴 조기 발주…수율 안정화로 시장 탈환 정조준

장비 조기 반입을 통해 1c D램 양산 초기 수율 안정화 기간을 최대한 넉넉하게 확보하겠다는 치밀한 계산이다.수율을 빠르게 끌어올려 고품질의 코어 다이를 안정적으로 생산해야만 글로벌 고객사들의 까다로운 품질 테스트를 통과하고 폭발적인 수요를 독식할 수 있다.한발 앞서 장비를 반입해 양산 체제를 조기에 굳히고 잃어버렸던 시장 점유율을 단숨에 탈환하겠다는 강력한 승부수다.

이러한 메모리 사업부의 공격적인 속도전은 파운드리 사업부의 행보와 맞물려 엄청난 투트랙 시너지를 창출할 것으로 전망된다.HBM4부터는 하단에 깔리는 베이스 다이에 로직 공정이 본격적으로 적용된다.파운드리 사업부가 최선단 공정을 앞세워 맞춤형 베이스 다이 주도권을 쥐고 수익성을 한껏 끌어올리는 동시에 메모리 사업부가 P4 공장에서 1c D램 코어 다이를 무한정 쏟아내는 완벽한 내부 분업 구조가 완성되는 셈이다.

메모리 칩 설계부터 파운드리를 활용한 베이스 다이 제작 그리고 코어 다이 적층과 첨단 패키징까지 모두 일괄 제공하는 삼성전자만이 가능한 독보적인 턴키(일괄 생산) 생태계가 2026년을 기점으로 완벽한 위력을 발휘하게 된다.타 메모리 경쟁사가 외부 파운드리 업체와 연합해야 하는 것과 비교해 공급망 지연 리스크를 최소화하고 가격 경쟁력까지 극대화할 수 있는 강력한 무기다.

반도체 업계 한 관계자는 "평택 P4 라인의 장비 조기 반입은 삼성전자가 다가오는 HBM4 사이클에서는 절대 주도권을 내주지 않겠다는 강력한 선전포고"라며 "P4 라인의 조기 안착과 1c D램 수율 확보 여부가 다가오는 2026년 삼성 반도체 부활을 결정지을 최대 분수령이 될 것"이라고 진단했다.


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